日前,美国商务部宣布以晋华涉及违反美国国家安全利益的行为的名义,对福建晋华集成电路有限公司实施禁售令,禁止美国企业向后者出售技术和产品。继中兴之后,又一家中国企业被美国商务部下禁售令。
紧接着,中国台湾联电宣布,“美国发出制裁令,我们也会遵守美国政府的规定”,“将暂停为福建晋华开发技术,直到有关当局确认我们可以恢复为止”。
只要回溯此前镁光和联电之间的知识产权纠纷就可以发现,本次晋华是替联电挡了一枪。而联电的做法则颇有背信弃义的味道,对于当下热衷于搞技术合作和技术引进的决策者来说无异于当头一棒。就发展中国芯片来说,如果能够成功从海外引进技术并开花结果固然可喜,但更多的还是要立足于自身,苦练内功,毕竟打铁还需自身硬。
近年来,在国家集成电路大基金的支持下,海量资源投入到存储芯片工厂的建设中。目前,初步形成了以长江存储、合肥睿力、福建晋华为主的三大龙头企业。其中,长江存储主攻NAND,合肥睿力、福建晋华主攻DRAM。下面,铁流来盘点一下这几家存储龙头企业。
长江存储
长江存储是国家队,其实就是原本的武汉新芯,紫光集团入股后更名为长江存储,由于有武汉新芯的底子在,以及从台湾地区挖走了有“存储教父”之称的高启全等一大批技术人员,长江存储在三家龙头企业中基础相对较好,也具有较强的自主研发能力。
目前,长江存储主攻的是NAND,已经完成了32层3D NAND的开发,根据赵伟国的讲话,紫光会在2018 年底量产32 层64G 的NAND Flash,在2019 年量产64 层128G 的NAND Flash,并同步研发128 层256G 的NAND Flash。
除了在技术上取得进步之外,紫光的投资力度和产能也颇为可观。根据日经中文网的报道:
预定建设的3栋厂房中,有1栋正在进行内部装修。平均每天进出的工作人员多达1000人左右。在通过严格安全审查进入厂区的工作人员中,还有日本半导体设备厂商和工厂设计人员的身影。
第1栋厂房的生产能力为东芝记忆体公司四日市工厂的一半左右。东芝记忆体公司四日市工厂由东芝与美国西部数据共同投资,是目前全球最大的半导体记忆体工厂。长江存储科技的第2栋和第3栋厂房也是第一栋相同规模,建成投产后将硅晶圆的月产能提高至100万枚,相当于东芝四日市工厂的1.5倍。
合肥长鑫
合肥长鑫的规划是2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17 nm的研发。
合肥长鑫的技术来源比较扑朔迷离,早期曾经传言和日本尔必达前社长坂本幸雄合作,还有韩国媒体将此举称为“尔必达前社长联合中国向三星、SK海力士复仇”。不过,该合作后来就没有后文了。
随后又传出兆易创新提供技术,但是兆易创新在DRAM方面缺乏技术积累,兆易创新在存储芯片方面做的比较好的就是国外大厂相继退出的Nor Flash了,不过,就重要性和市场规模而言,Nor Flash完全不能和NAND Flash和DRAM相比。
兆易创新当时也是寄希望于收购一家美国半导体公司进而获得DRAM相关技术,而这项收购后来也黄了。有消息称,合肥长鑫的存储芯片技术其实也是来自境外。
如果传言为真,那么,合肥长鑫的抗风险能力也是值得商榷的。
福建晋华
晋华的技术来自联电。由于晋华是新厂,缺乏存储芯片方面的技术积累,因而在发展存储芯片上,选择了找联电寻求技术合作,根据公开资料晋华提供三亿美元资金采购研发设备,并依进度陆续支付联电四亿美元,开发出的技术成果双方共有,整体技术完成后,再转移到晋华进行量产。
可以说,晋华本身并不具备存储芯片技术的研发能力,采用的是出钱委托联电研发,然后知识产权共有这种模式。诚然,如果顺利的话,晋华也能量产存储芯片。但这种模式面对制裁,根本不具备抗风险能力。
本次美国商务部制裁就将合作开发模式的短板暴露无遗。
紫光国微
紫光系的紫光国微也具备DRAM研发能力。紫光国微的技术源自收购来的西安华芯。西安华芯则源自英飞凌在2003年于西安成立的英飞凌科技存储器事业部,在2006年英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达,2009年奇梦达被浪潮收购,改制重建为西安华芯。
2015年紫光收购西安华芯后,改名紫光国芯,之后又改名紫光国微。由于从西安华芯开启本土化之路至改名紫光国微,时间较长,培养了一大批人才,相对于福建晋华直接从联电引入技术,紫光国微是具备一定自主研发能力的。此前就研发过DDR3的内存芯片,不过,由于需要委托代工厂生产制造(武汉新芯就是西安华芯重要合作伙伴),而国内相关产业配套缺乏,产能无法保障,产品销量不大,产品主要用于国产服务器及计算机等领域,像龙芯和申威的PC上就可以看到紫光的DDR3内存条。
此前,龙芯出售龙芯2K开发板时,由于三星操控你内存价格,导致内存条暴涨,龙芯采取了卖开发板送内存条的销售策略。龙芯送的内存条中就有紫光的DDR3内存条。
应立足自主研发
从实践上看,中国存储芯片的发展希望是自主研发,而不是技术引进。
无论是紫光集团早些年试图收购或入股镁光、SK海力士、闪迪/西部数据等海外公司的计划全部落空,还是最近晋华因联电拖累遭遇美国制裁,这些事实都表明,美国政府不希望中国掌握一直被美国及其盟友垄断的半导体技术。
因此,中国存储芯片发展的大方向将从过去的技术引进转向自主研发。而且实践也证明,自主研发是完全可行的。
虽然紫光在海外的一系列并购大多没能修成正果,但在收购未果后,紫光选择了挖人+自主研发的道路。同时,紫光整合了国内武汉新芯、西安华芯等国内在存储芯片领域有一定积累的企业,把国内的资源充分利用起来。目前,紫光麾下的存储芯片工厂已经具备了一定自主研发能力。从取得的成果来看,紫光在发展中取得的成绩相对来说要好一些,步子也走的相对快一点。
【作者:铁流;来源:观察者网】
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