美国迫使台积电停止代工国内的高端芯片，像华为等企业断了麒麟芯片的来源，直接失去了跟美企高通和苹果竞争的资格，手机业务一落千丈；禁止全球光刻机巨头自由出货高端EUV光刻机到中国，阻止中国企业获取生产高端芯片的能力；拜登又签署了所谓的“芯片法案”，召集全球顶级芯片企业到美国建厂，帮助美国发展本土芯片产业链；拉拢日韩台成立所谓的“芯片四方联盟”，企图排挤中国，加强对高端芯片的掌控力度；紧接着又断供EDA设计软件......拜登打的是全面封杀中国芯片的如意算盘。
不过，令拜登万万没想到的是，中国芯片突然来了一个换道超车！既然在传统芯片领域赶上来非常困难，那我们就换一个方向突围！近日，《北京日报》报道，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线预计将于2023年在京建成。在传统的芯片中，数据传输的载体是电子，而在光芯片中，数据传输的载体变成了光子。相较于传统电子芯片，光子芯片具有高速并行、低功耗的优势，其运算速度及传输速率是传统芯片的1000倍，而功耗仅为电子芯片的9万分之一。
在传统芯片领域，芯片巨头台积电和三星都已经来到了3nm节点，前不久，上海正式官宣国产芯片正式量产了14nm，国内光刻机来到了90nm节点，但是想要实现追赶，慢的话估计得15年，快的话也得个10年8年，但是，留给我们的窗口期却没有这么长的时间。另外，传统硅基芯片来到了3nm、2nm时代基本上也到了硅基材料的物理极限，更进一步不是不可能，只不过是难度会更加大，而且就算生产出来，性能提升也比较有限，还得花费非常大的成本，根本没什么性价比，可能会出现造得出，却用不起的尴尬局面。苹果放弃台积电最先进的3nm制程就是因为太贵了。
相较于传统芯片，光子芯片有着独特的优势。光子芯片具有高计算速度、低功耗、低时延等特点，且不易受到温度、电磁场和噪声变化的影响。光子芯片不追求工艺尺寸的极限缩小，突破了工艺的限制，有更多的性能提升空间。光信号以光速传输，速度得到巨大提升；理想状态下，光子芯片的计算速度比电子芯片快约1000倍。光子计算消耗能量少，光计算功耗有望低至每比特10—18焦耳（10—18J/bit），相同功耗下，光子器件比电子器件快数百倍。
在美国层层加码对华芯片战的背景下，我们中国首条光子芯片生产线的建成，将有着非常特殊的意义。在制造工艺上，光子芯片不会像传统芯片那样必须使用极紫外光刻机（EUV）等极高端的光刻机，使用我国已经相对成熟的原材料和设备就能生产。换句话说，美国企图全面封锁中国芯片的阴谋将彻底失败。中国工程院院士罗毅此前在接受媒体采访时说，我国光子芯片研究正和国际先进水平“并跑”，光子芯片是人工智能时代的基础设施，未来2、3年，我们将实现切实可靠的国产核心芯片，像华为5G一样，在多个赛道领跑全世界！给中国芯片点赞！给中国科技点赞！
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