近年来，长江存储等一批企业开始攻关存储芯片，意图摆脱三星、SK海力士、东芝、镁光、闪迪等厂商的掣肘。然而，三星的两个举措很有可能是在为狙击中国存储芯片做准备。一是三星刻意控制产能，防止存储芯片价格下滑。由于三星可以控制产量，直接导致美国一些半导体设备厂商的设备出货量在短期内下滑了20%左右。三星之所以要这样做，极有可能是想在国产存储芯片上市前，再大赚一笔钱，存储充足的弹药，为将来和国产存储芯片打价格战做准备。另一个消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量产。如果国产存储芯片上市之时，三星开始暴产能，而且是最新的第五代V-NAND，国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争，将会处于非常不利的局面。

据统计，2017年NAND和DRAM销售总额高达1320亿美元，比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一，就是NAND和DRAM价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星，毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高，只要联合同为韩国企业的SK海力士，就可以轻易操纵市场。

三星抑制存储产能赚取高利润，国产存储芯片恐被狙击

近年来，长江存储等一批企业开始攻关存储芯片，意图摆脱三星、SK海力士、东芝、镁光、闪迪等厂商的掣肘。然而，三星的两个举措很有可能是在为狙击中国存储芯片做准备。

一是三星刻意控制产能，防止存储芯片价格下滑。由于三星可以控制产量，直接导致美国一些半导体设备厂商的设备出货量在短期内下滑了20%左右。三星之所以要这样做，极有可能是想在国产存储芯片上市前，再大赚一笔钱，存储充足的弹药，为将来和国产存储芯片打价格战做准备。

三星抑制存储产能赚取高利润，国产存储芯片恐被狙击

另一个消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量产。新一代存储芯片在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps，比上代64层堆叠提升了40%。电压从1.8V降至1.2V，性能功耗比有所提高。

此外，韩国媒体报道，三星计划扩大韩国平泽工厂。如果国产存储芯片上市之时，三星开始暴产能，而且是最新的第五代V-NAND，国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争，将会处于非常不利的局面。

三星抑制存储产能赚取高利润，国产存储芯片恐被狙击

如果三星、SK海力士、镁光、东芝等国外厂商联手绞杀，国产存储芯片将会处于非常尴尬的境地，可能会遭遇比京东方早年还要严重的亏损。中国存储芯片逆袭之路，恐怕不会很顺利，没准也要经历10年内连年亏损这样一个过程。