从福建晋华被美国宣布列为禁止出口的制裁名单后，国内存储产业发展气氛转为低调，业界更担心另一家 DRAM 自主研发大厂合肥长鑫会踩到前人地雷，然合肥长鑫首席执行官朱一明 5 月 15 日在 GSA MEMORY+ 论坛中首次揭露，正在研发的 DRAM 技术基础是授权自曾经叱咤全球的德系存储大厂奇梦达（ Qimonda ），此番宣言恐让手举专利大刀准备砍下去的美光（ Micron ）、三星电子（ Samsung Elecgtronics ）十分错愕。

近两年来对于公开曝光十分低调的朱一明，15 日现身 GSA MEMORY+ 论坛引发业内人士轰动，他更是有备而来，带着 “解答” 和“解药”公开现身。

图 | 合肥长鑫首席执行官朱一明 5 月 15 日在 GSA MEMORY+ 论坛中首次揭露正在研发的 DRAM 技术是授权德系存储大厂奇梦达(来源：DeepTech）

朱一明宣布，合肥长鑫的技术基础来源是奇梦达，“解答”外界担心长鑫侵权美光 DRAM 技术和专利的疑虑，同时也破除前阵子传出长鑫 “求救” 三星技转技术的消息，此番宣言对于国内自主存储产业而言，更是一帖绝对合法合规的“解药”。

朱一明表示，首先是通过与奇梦达的合作，并且结合长鑫自主技术团队的研发，目前已经有 1000 多件 DRAM 相关技术，再者是与设备光刻机大厂 ASML 合作论文，并采用其试产线进行前期研发。

合肥长鑫仅花了 14 个月即完成晶圆厂房，已经生产 1.5 万片测试晶圆，资本支出为 25 亿美元。

要解读合肥长鑫这个信息发布，对于国内自主开发存储芯片技术的重要意义，要先从三大面向来探讨：

1. 为什么合肥长鑫会被美光盯上？

2. 当年奇梦达在倒闭之前，其实研发出一项 DRAM 界的“盖世武功”，可惜卡在没钱量产，这究竟是一段如何未竟之功的历史？

3. 授权自奇梦达 DRAM 技术的业者有无成功的前例，可供合肥长鑫借鉴？

图 | 合肥长鑫也揭露与多家设备厂：应用材料、ASML、TEL、KLA Tencor等合作研发DRAM技术。 (来源：DeepTech）

为什么合肥长鑫会被美光盯上？

2017 年，美系存储大厂美光祭出两大杀手锏，意图斩断国内存储产业的技术自主。首先，是大动作对台湾存储大厂华亚科到合肥长鑫任职的上百名员工发出存证信函，采取法律手段和国际施压，阻止人才的转移，此举引发国际半导体产业的震撼。

再者，控告福建晋华和其技术研发伙伴联电侵权，并在 2018 年底对福建晋华发出禁止设备出口的制裁，导致福建晋华几乎要量产的 DRAM 技术终止开发和生产。

由于传出上百名华亚科员工到合肥长鑫任职，因此，在福建晋华被美方盯上后，业界非常担心合肥长鑫的处境。

另一个原因也是，合肥长鑫一直没有明确公开其自主开发的 DRAM 技术来源，究竟 “火种” 源自何方？仅知悉该阵营几乎是网罗全球存储产业的人才，如火如荼投入 DRAM 技术开发。

因此，合肥长鑫正式公布技术的 “火种” 来自于奇梦达，让大家如释重负，同时，也认为这真是高招。

此前，业界曾流传合肥长鑫向三星求助，希望能说服三星授权转移 DRAM 技术。然而，众人疑惑 DRAM 技术和专利几乎是三星的“宝藏”，三星怎么可能答应放出？

但当时还传出合肥长鑫已在评估现有的产线设备转换至三星体系的设备，还需要投入多少资金。这导致整个业界传言鼎沸。

不过，现在回头看，“求助”三星的传言应该是一个烟雾弹，因为当时国际局势险峻，业界各种不利国内存储产业发展的传言满天飞，合肥长鑫也只能保持：隐忍、低调，等到一切准备就绪，才能对外公布真正的答案。

奇梦达倒闭前研发出的 “盖世武功” 落到长鑫手上？

当年全球 DRAM 技术架构分为两大阵营，一种是沟槽式技术（Trench），以奇梦达为代表，另一种是堆叠式技术（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

所谓 “沟槽式”，顾名思义是“往下挖”，而堆叠式技术就是往上堆叠，可以很轻易明白，“往下挖” 的技术遇到瓶颈的时间会比向上堆叠还得快很多，这也是奇梦达当初撑不下去的原因之一。

不过，奇梦达在宣布破产之前，其实已经成功研发出堆叠式技术 Buried Wordline (埋入式闸极字元线连结)。2008 年底，奇梦达的 Buried Wordline 技术已经成功以 65 nm 工艺试产，生产 1Gb 的 DDR2 产品。

更重要的是，46 nm 产品已在实验室进行研发完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技术与上一代 58 nm 技术相较，晶圆数量增加达到 1 倍，当时业界认为奇梦达虽然刚从沟槽式，成功转至堆叠式，但 Buried Wordline 技术非常具有竞争力。

可惜的是，奇梦达已经撑不下去了，没有钱投入全新的 Buried Wordline 技术，公司后来宣布破产收场，成为 DRAM 产业史上徒留遗憾的一页。

业界表示，奇梦达 2009 年破产后，从此欧洲最后一家存储大厂也结束了，但奇梦达手上有众多专利，尤其是 Buried Wordline 技术，还是持续向许多半导体公司收取授权费用，有点像是一家专利公司的角色。

图 | 合肥长鑫首席执行官朱一明 在 GSA MEMORY+ 论坛中阐述中国发展存储业的历程，而现在是中国存储IDM时代的揭幕。

技转自奇梦达的 DRAM 技术有无成功的前例？

奇梦达在宣告破产后，台湾有两家存储公司是授权自奇梦达的存储厂：南亚科和华邦，两家都甚是错愕，因为当场陷入技术断炊的窘境。

两家公司善后处理的方式也不一样。南亚科决定转向美光合作，而华邦则是选择买下奇梦达 46 nm 的 Buried Wordline 技术，并且做了两个重大决定，一是走上 DRAM 技术自主，以该技术作为研发基础，自己来发展。

第二，华邦也下定决心退出标准型 DRAM 产业的竞争，自己开发的 46 nm 技术主要是用于消费型、网通用等利基型 SDRAM 产品，但这一条技术自主之路，华邦整整用了快十年，才走出属于自己的格局和模式。

总之，这条路是有成功的前车之鉴，但非常辛苦且困难，合肥长鑫也必须有 “板凳要坐十年冷” 的决心。

合肥长鑫最后使出奇梦达的技术专利这一招，确实非常厉害，成功规避美光、三星、SK 海力士的技术专利问题，而且，是花钱就可以买到的技术。

或许有些人会问，难道有了奇梦达的技术基础，就可以完全避掉国际大厂的专利和技术陷阱？这个答案或许不是肯定的，但对解决眼前的问题，是最快见效的一帖良药，至少其他存储大厂不敢轻举妄动找合肥长鑫的麻烦。

图 | 长江存储CTO汤强于的GSA MEMORY+ 论坛中再次解说Xtacking 技术架购。

长江存储的 Xtacking 技术也是 “保平安” 护身符

还有一个类似的例子是长江存储的 Xtacking 技术， 2018 年在美国国际性的 Flash Memory Summit 技术大会中宣布，对于国际大厂而言是惊艳万分，对于国内业界而言，直言是 “横空出世” 的一个技术。

业界透露，长江存储在研发 3D NAND 技术初期，就非常重视专利问题，不能有任何侵权的嫌疑，但因为长江存储的 3D NAND 进展太顺利，据传还是引来三星的紧盯，一直在找 “破绽”，但是自从 Xtacking 技术问世后，没有人敢再怀疑长江存储的 3D NAND 技术的“清白” 问题了。

有时候，关键技术或是专利不用多，但只要有这么一两个，就可以为企业遮风避雨。

合肥长鑫的奇梦达技术、长江存储的 Xtacking 技术，某种程度都是在诡谲的国际情势下，非常关键的保护伞，你可以说这种布局隐含某种 “政治” 意味，避免国际大厂怀疑技术上的“清白”，但不可否认，在当前的气氛下，确实是有效的策略，让国内 DRAM 和 3D NAND 存储产业的发展，可以得到庇护，安心地进行技术开发。